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现代物理基础丛书:自旋电子学【正版】书籍详细信息
- ISBN：9787030349828
- 作者：暂无作者
- 出版社：暂无出版社
- 出版时间：2013-01
- 页数：676
- 价格：147.04
- 纸张：胶版纸
- 装帧：平装
- 开本：16开
- 语言：未知
- 丛书：暂无丛书
- TAG：暂无
- 豆瓣评分：暂无豆瓣评分
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内容简介：
《现代物理基础丛书：自旋电子学》由十余位国内对自旋电子学前沿有研究经验的著名学者撰写，共10章.较深入地论述了自旋电子学的主要内容、形成与展望，兼顾理论、实验和应用.包括，多层膜与颗粒体系的磁性和巨磁电阻；磁性隧道结，特别是较新发展的MgO单晶隧道结的结构、理论和应用；庞磁电阻材料的理论、实验与应用；稀磁半导体的磁性、磁输运等以及相关的异质结构和自旋注入等研究；磁电阻理论，包括铁磁金属的散射理论、界面效应和介观体系中的磁电电路理论；铁磁/反铁磁界面的交换偏置在器件中的作用和基本性能，主要的实验研究和理论模型；自旋动量矩转移效应、电流引起磁化的原理和在自旋阀、隧道结、铁磁体-量子点耦合等系统中的研究，自旋动量矩转移引起的磁畴转动、畴壁位移、自旋波激发、自旋泵浦、自旋流等的原理和应用，电流引起磁化与传统的磁场引起磁化的比较；自旋电子学的应用及代表性的器件，包括传感器、读出头、磁电阻随机存储器以及自旋晶体管等。
书籍目录：
序第1章自旋电子学的形成与发展1.1两个历史性突破1.2各种磁电阻和巨大磁电阻1.2.1各向异性磁电阻1.2.2正常磁电阻1.2.3巨磁电阻1.2.4隧道结磁电阻1.2.5庞磁电阻1.3巨磁电阻的基本原理和发现的背景1.3.1铁磁金属的导电和自旋相关导电的基本原理1.3.2多层膜中的层间反铁磁交换耦合与巨磁电阻的发现1.3.3发现巨磁电阻的物质基础是纳米技术的发展1.420多年来自旋电子学的发展及成就1.4.1振荡型的层间交换耦合1.4.2巨磁电阻走向应用的关键，溅射工艺的采用和自旋阀1.4.3半金属引人关注1.4.4磁性隧道结不断取得惊人的进展1.4.5CMR材料形成一大类新材料和物理的研究领域1.4.6半导体自旋电子学的发展1.4.7探索中的自旋逻辑元件和自旋计算1.5自旋动量矩转移——一个新的历史性突破1.6自旋电子学的应用与开发1.7结束语参考文献第2章颗粒体系中的磁电阻效应2.1颗粒体系中的静磁特性2.1.1单畴临界尺寸2.1.2超顺磁性2.2颗粒体系中的输运特性2.3金属/金属型颗粒膜的巨磁电阻效应2.4间断膜的巨磁电阻效应2.5金属/绝缘体型颗粒膜的磁电阻效应2.6纳米颗粒固体的磁电阻效应2.6.1熔淬薄带的磁电阻效应2.6.2机械合金化制备的纳米固体的磁电阻效应2.6.3纳米微晶材料的磁电阻效应2.7有机介质中颗粒体系的磁输运2.8结束语参考文献第3章磁性隧道结及其隧穿磁电阻效应和器件的应用3.1磁性隧道结的结构原理和发展简介3.2微米和纳米尺度磁性隧道结的微制备和加工3.2.1磁性隧道结多层膜的沉积和生长3.2.2掩膜法制备磁性隧道结3.2.3深紫外曝光法制备磁性隧道结3.2.4电子束曝光制备纳米磁性隧道结3.2.5聚焦离子束刻蚀法制备纳米磁性隧道结3.2.6磁性隧道结势垒层的氧化和热处理工艺3.3磁性隧道结的电极和势垒等常用材料3.3.1具有高自旋极化率的铁磁单质金属及其合金材料3.3.2具有高自旋极化率的半金属电极材料3.3.3具有垂直各向异性的金属磁电极材料3.3.4稀磁半导体电极材料3.3.5磁隧道结的势垒材料3.3.6磁性隧道结中的几种有代表性的反铁磁钉扎材料3.4磁性隧道结的种类3.4.1三明治结构磁性隧道结3.4.2自旋阀式钉扎型磁性隧道结3.4.3双势垒磁性隧道结3.4.4半金属磁性隧道结3.4.5垂直各向异性磁性隧道结3.4.6稀磁半导体复合型磁性隧道结3.4.7超导复合型磁性隧道结3.4.8颗粒膜复合型磁性隧道结3.4.9有机复合型磁性隧道结3.4.10多铁性复合磁性隧道结3.4.11平面型自旋阀结构3.5磁性隧道结中的量子效应及其磁电性质3.5.1磁性隧道结的磁电阻对温度和偏压依赖关系3.5.2磁性隧道结中的非弹性隧道谱3.5.3自旋极化电子的磁激子、声子及杂质辅助隧穿3.5.4磁性隧道结Co001/Cu001/Al-O/NiFe中的量子阱效应3.5.5磁性隧道结的反常霍尔效应3.5.6双势垒磁性隧道结中的磁电阻振荡效应3.5.7双势垒磁性隧道结中的顺序隧穿模型3.5.8双势垒磁性隧道结中的自旋散射效应和自旋翻转长度3.5.9双势垒磁性隧道结中的自旋相关库仑阻塞磁电阻效应3.5.10非磁性电极隧道结中的自旋相关库仑阻塞磁电阻效应3.6单晶磁性隧道结的性原理计算和研究方法3.6.1LayerKorringa-Kohn-Rostoker性原理计算方法3.6.2单晶磁性隧道结Fe/MgO/Fe的隧穿磁电阻效应3.6.3单晶磁性隧道结Fe/FeO/MgO/Fe的隧穿磁电阻效应3.6.4单晶磁性隧道结Fe/Mg/MgO/Fe和Fe/Mg/MgO/Mg/Fe的隧穿磁电阻效应3.6.5单晶磁性隧道结Fe/MgO/Au，Ag/Fe中的量子阱效应3.6.6单晶双势垒磁性隧道结Fe/MgO/Fe/MgO/Fe的量子阱效应3.6.7单晶磁性隧道结Co/MgO/Co的隧穿磁电阻效应3.6.8单晶磁性隧道结Fe/Co/MgO/Co/Fe的高隧穿磁电阻效应3.6.9单晶磁性隧道结CoFe/MgO/CoFe的能带结构及磁电阻特性3.6.10单晶磁性隧道结Fe/MgO/Cr/Fe的振荡隧穿磁电阻效应3.6.11磁性隧道结CoFeB/MgO001/CoFeB的晶体结构和磁电阻效应3.6.12磁性隧道结新势垒MgAl2O4、ZnAl2O4、SiMg2O4、SiZn2O4等材料的探索3.7有机复合磁性隧道结的性原理计算方法简介3.7.1有机复合磁性隧道结实验及理论背景3.7.2性原理与非平衡格林函数3.7.3纳米分子器件的自旋相关输运问题3.7.4铁磁/有机LB膜势垒/铁磁-复合型磁性隧道结的计算研究3.7.5NaCl单晶势垒磁性隧道结的自旋相关输运问题3.8磁性隧道结中的自旋转移力矩效应及其应用3.8.1磁性隧道结中的自旋转移力矩效应3.8.2纳米环状磁性隧道结中的自旋转移力矩效应3.8.3纳米椭圆环状磁性隧道结中的自旋转移力矩效应3.8.4纳米环状磁性隧道结在纳米振荡器中的应用3.8.5纳米柱状磁性隧道结在纳米振荡器中的应用3.9磁性隧道结在原理型和实际器件应用上的典型范例3.9.1磁性隧道结在计算机磁读头方面的应用3.9.2磁性隧道结在磁敏传感器方面的应用3.9.3磁性隧道结在磁随机存储器方面的应用3.9.4磁性隧道结在自旋晶体管和场效应晶体管方面的应用3.9.5磁性隧道结在磁逻辑器件方面的应用3.9.6磁性隧道结在忆阻器方面的应用3.10磁性隧道结的研究展望第3章附录磁性隧道结的发展历史及其有代表性的优化结构参考文献第4章庞磁电阻材料4.1锰氧化物的结构及其庞磁电阻效应4.1.1锰氧化物的晶格和电子结构4.1.2庞磁电阻效应和组分调节4.1.3层状钙钛矿结构锰氧化物的性质及其磁电阻效应4.1.4其他庞磁电阻材料4.2钙钛矿锰氧化物的电荷/轨道有序相4.2.1锰氧化物的电荷和轨道有序态4.2.2锰氧化物的电荷和轨道有序态的融化4.3钙钛矿锰氧化物的输运性质4.3.1高温输运性质——极化子输运4.3.2低温输运性质——本征输运4.4庞磁电阻效应的机制——相分离图像4.4.1早期的理论模型4.4.2锰氧化物的理论模型——模型和参数4.4.3锰氧化物的理论模型——单轨道模型、双轨道模型和相分离4.4.4锰氧化物不均匀性的试验证据——理论同试验的比较4.4.5相分离图像下输运性质和庞磁电阻效应4.5锰氧化物的低场磁电阻效应4.5.1锰氧化物的低场磁电阻效应及其理论模型4.5.2低场磁电阻效应的增强4.6锰氧化物在自旋电子学中的应用4.6.1基于锰氧化物的磁隧道结4.6.2基于锰氧化物的电场效应器件4.6.3高温超导铜氧化物/锰氧化物夹心结构和自旋极化载流子注入4.7庞磁电阻材料目前存在的问题和展望参考文献第5章稀磁半导体的研究进展5.1引言5.2Ga，MnAs薄膜制备及其结构特征5.3Ga，MnAs磁性质5.4Ga，MnAs磁输运性质5.5Ga，MnAs磁光性质5.5.1磁圆偏振光二色性谱MCD谱5.5.2法拉第旋转5.5.3拉曼散射谱5.5.4铁磁共振谱5.6提高Ga，MnAs居里温度的方法5.6.1生长后低温退火热处理5.6.2共掺杂5.7空穴载流子导致铁磁性5.8Ga，MnAs的异质结构5.8.1Ga，MnAs和GaAs的带阶5.8.2Ga，MnAs/GaAs多层膜结构5.8.3Ga，MnAs基三层膜结构的自旋相关散射、层间耦合和隧穿磁阻5.8.4Ga，MnAs自旋共振隧穿二极管5.9Ga，MnAs铁磁性的电场控制5.10半导体异质结构中的自旋注入5.10.1Ga，MnAs等稀磁半导体向半导体的自旋注入5.10.2铁磁金属向半导体中的自旋注入5.11其他稀磁半导体的研究进展5.11.1GaN基稀磁半导体5.11.2Ⅳ族稀磁半导体5.11.3Ⅲ-Ⅵ族稀磁半导体5.11.4Ⅳ-Ⅵ族稀磁半导体5.11.5氧化物稀磁半导体5.11.6稀磁半导体量子点5.12展望参考文献第6章磁电阻理论6.1引言6.2铁磁金属电子结构6.3杂质散射6.4单界面6.4.1弹道方式6.4.2考虑能带效应下的界面电导6.4.3自旋积累效应6.4.4铁磁体/超导体界面的Andreev反射效应6.5磁电电路理论6.6铁磁隧道结的隧穿磁电阻效应6.6.1非相干的电子隧穿6.6.2电子的相干隧穿6.7钙钛矿结构的锰氧化物的庞磁电阻效应6.7.1未掺杂LaMnO3的电子自旋、电荷和轨道6.7.2掺杂LaMnO3的双交换机理6.7.3锰氧化物中的量子相变参考文献第7章交换偏置7.1引言7.2交换偏置的基本特征7.3基本测量方法7.4理论模型参考文献第8章自旋角动量转移效应8.1引言8.2自旋转移效应的提出8.3几类磁性多层纳米结构中的自旋转移效应8.3.1磁性隧道结中的自旋转移效应8.3.2铁磁体-Marginal费米液体-铁磁体双隧道结中的自旋转移效应8.3.3铁磁体-量子点-铁磁体耦合系统中的自旋转移效应8.4自旋转移效应对畴壁动力学的影响8.5自旋转移效应的实验进展8.6结束语参考文献第9章自旋动量矩转移矩对传统技术磁化的发展9.1自旋动量矩转移，物理和技术上的历史性突破9.2传统铁磁学中的磁场诱导磁化9.2.1磁化的可逆转动和不可逆转动Stoner-Wohlfarth模型9.2.2可逆和不可逆畴壁位移9.2.3磁畴转动与反磁化的动力过程9.2.4畴壁位移的动态过程9.2.5用交变磁场研究磁矩进动、铁磁共振9.2.6磁矩进动的时间域测量9.2.7磁场诱导磁化过程小结9.3电流的自旋转移力矩STT诱导磁化的主要进展和特点9.3.1磁场诱导与电流诱导磁化机理的相同之处与特征9.3.2STT导致的磁化转动和磁化反转9.3.3STT导致的磁矩持续进动及自旋波的激发9.3.4STT诱导的畴壁位移9.3.5自旋泵浦、自旋流和非局域自旋进动阻尼9.4结束语参考文献第10章磁电子学器件应用原理10.1巨磁电阻、隧穿磁电阻传感器10.1.1巨磁电阻传感器设计两要素10.1.2多层膜巨磁电阻传感器10.1.3自旋阀方向传感器10.1.4线性化自旋阀传感器10.1.5自旋阀线性位移传感器10.1.6磁隧道结隧穿磁电阻传感器10.2巨磁电阻隔离器10.3巨磁电阻、隧穿磁电阻硬盘读出磁头10.3.1巨磁电阻磁头的自旋阀单元工作的要点10.3.2高密度巨磁电阻读头发展对自旋阀材料的新要求10.3.3基于磁隧道结的新一代读出磁头10.4磁电阻随机存储器10.4.1各向异性磁电阻随机存储器的历史10.4.2巨磁电阻随机存储器的新篇章10.4.3隧穿磁电阻随机存储器的新起点10.4.4单配晶体管型隧穿磁电阻随机存储器面面观10.4.5触发器型隧穿磁电阻随机存储器的新特点10.5自旋转移磁化反转与纳米柱微波振荡器10.6自旋晶体管——磁电子器件的新理念10.6.1全金属双极性自旋晶体管10.6.2半导体双极性自旋晶体管10.6.3Datta-Das自旋场效应晶体管10.6.4热电子自旋晶体管10.7结束语参考文献彩图
作者介绍：
翟宏如，南京大学教授、博导。1955年参与在国内大学建立磁学专业.讲授铁磁学和固体磁性50年.曾在国内和8个国外大学或研究所讲授固体磁性等讲座或建立科研合作.在磁学和自旋电子学多个领域开展研究，发表论文近400篇.参与写作2本专著.共获奖9个。
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书籍介绍
《现代物理基础丛书49:自旋电子学》由十余位国内对自旋电子学前沿有研究经验的著名学者撰写，共10章，较深入地论述了自旋电子学的主要内容、形成与展望，兼顾理论、实验和应用。包括，多层膜与颗粒体系的磁性和巨磁电阻；磁性隧道结，特别是最新发展的MgO单晶隧道结的结构、理论和应用；庞磁电阻材料的理论、实验与应用；稀磁半导体的磁性、磁输运等以及相关的异质结构和自旋注入等研究；磁电阻理论，包括铁磁金属的散射理论、界面效应和介观体系中的磁电电路理论；铁磁，反铁磁界面的交换偏置在器件中的作用和基本性能，主要的实验研究和理论模型；自旋动量矩转移效应、电流引起磁化的原理和在自旋阀、隧道结、铁磁体一量子点耦合等系统中的研究，自旋动量矩转移引起的磁畴转动、畴壁位移、自旋波激发、自旋泵浦、自旋流等的原理和应用，电流引起磁化与传统的磁场引起磁化的比较；自旋电子学的应用及代表性的器件，包括传感器、读出头、磁电阻随机存储器以及自旋晶体管等。
书籍真实打分
故事情节：6分
人物塑造：6分
主题深度：6分
文字风格：6分
语言运用：6分
文笔流畅：8分
思想传递：4分
知识深度：5分
知识广度：7分
实用性：9分
章节划分：5分
结构布局：4分
新颖与独特：9分
情感共鸣：9分
引人入胜：9分
现实相关：8分
沉浸感：4分
事实准确性：6分
文化贡献：8分
网站评分
书籍多样性：6分
书籍信息完全性：5分
网站更新速度：8分
使用便利性：9分
书籍清晰度：4分
书籍格式兼容性：7分
是否包含广告：5分
加载速度：3分
安全性：5分
稳定性：5分
搜索功能：9分
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网友 屠***好：还行吧。
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网友 孙***夏：中评，比上不足比下有余
网友 蓬***之：好棒good
网友 谭***然：如果不要钱就好了
网友 通***蕊：五颗星、五颗星，大赞还觉得不错！~~