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半导体器件物理(第三版)书籍详细信息
- ISBN：9787030729156
- 作者：暂无作者
- 出版社：暂无出版社
- 出版时间：2022-10
- 页数：暂无页数
- 价格：62.41
- 纸张：胶版纸
- 装帧：平装-胶订
- 开本：16开
- 语言：未知
- 丛书：暂无丛书
- TAG：暂无
- 豆瓣评分：暂无豆瓣评分
内容简介：
本书是普通高等教育“十一五”***规划教材。本书介绍了常用半导体器件的基本结构、工作原理、主要性能和基本工艺技术。内容包括：半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、电荷转移器件、半导体太阳电池和光电二极管、发光二极管和半导体激光器等。
书籍目录：
第1章 半导体物理基础
1.1 半导体中的电子状态
1.1.1 周期性势场
1.1.2 周期性势场中电子的波函数、布洛赫定理
1.1.3 周期性边界条件
1.2 能带
1.3 有效质量
1.4 导带电子和价带空穴
1.4.1 金属、半导体和 缘体的区别
1.4.2 空穴
1.5 硅、锗、砷化镓的能带结构
1.5.1 等能面
1.5.2 能带图
1.6 杂质和缺陷能级
1.6.1 施主杂质和施主能级、N型半导体
1.6.2 受主杂质和受主能级、P型半导体
1.6.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的杂质
1.6.4 深能级杂质
1.6.5 缺陷能级
1.7 载流子的统计分布
1.7.1 状态密度
1.7.2 费米分布函数与费米能级
1.7.3 能带中的电子和空穴浓度
1.7.4 本征半导体
1.7.5 只有一种杂质的半导体
1.7.6 杂质补偿半导体
1.7.7 简并半导体
1.8 载流子的散射
1.8.1 格波与声子
1.8.2 载流子的散射过程
1.9 电荷输运现象
1.9.1 漂移运动、迁移率与电导率
1.9.2 扩散运动、扩散流密度和扩散电流
1.9.3 流密度、电流密度和电流方程
1.10 非均匀半导体中的自建电场
1.10.1 半导体中的静电场和静电势
1.10.2 爱因斯坦关系
1.10.3 非均匀半导体和自建电场
1.11 非平衡载流子
1.12 准费米能级
1.12.1 准费米能级的定义
1.12.2 修正的欧姆定律
1.13 复合机制
1.13.1 直接复合
1.13.2 通过复合中心的复合
1.14 表面复合和表面复合速度
1.15 半导体中的基本控制方程
习题
参考文献
第2章 PN结
作者介绍：
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出版社信息：
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书籍摘录：
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书籍真实打分
故事情节：8分
人物塑造：9分
主题深度：9分
文字风格：7分
语言运用：4分
文笔流畅：6分
思想传递：8分
知识深度：5分
知识广度：9分
实用性：5分
章节划分：9分
结构布局：7分
新颖与独特：3分
情感共鸣：3分
引人入胜：5分
现实相关：8分
沉浸感：7分
事实准确性：8分
文化贡献：4分
网站评分
书籍多样性：7分
书籍信息完全性：6分
网站更新速度：3分
使用便利性：6分
书籍清晰度：6分
书籍格式兼容性：3分
是否包含广告：7分
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安全性：6分
稳定性：8分
搜索功能：3分
下载便捷性：4分
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